环球即时：相变化内存
1、相变化内存（Phase-changememory，OvonicUnifiedMemory，Chalcoge
(资料图)
1、 相变化内存（Phase-change memory，Ovonic Unified Memory，Chalcogenide RAM，简称PCM, PRAM, PCRAM, CRAM），又译为相变位内存，是一种非易失性存储器装置。
2、PRAM 使用含一种或多种硫族化物的玻璃（Chalcogenide glass）制成，主流为GeSbTe系合金。
3、硫属玻璃的特性是，经由加热可以改变它的状态，成为晶体（Crystalline）或非晶体（Amorphous）。
4、这些不同状态具有相应的电阻值。
5、因此 PRAM 可以用来存储不同的数值。
6、 它是未来可能取代快闪存储器的技术之一。
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